申请/专利权人：钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司

申请日：2019-11-25

公开（公告）日：2024-04-30

公开（公告）号：CN111223934B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/08;H01L29/10;H01L21/336

优先权：["20181126 US 62/771,177","20181221 US 62/783,203","20190327 US 62/824,315","20190418 US 16/388,836"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.30#授权;2021.12.17#专利申请权的转移;2020.06.26#实质审查的生效;2020.06.02#公开

摘要：本发明公开了一种晶体管结构。所述晶体管结构包含一栅极、一通道区、一漏极和一源极。所述栅极位于一第一硅材料的一硅表面上；所述通道区位于所述硅表面下且包含一第一端和一第二端。所述漏极和所述源极独立于所述第一硅材料且不是由所述第一硅材料所衍生出来。所述漏极包含一第一预定实体边界，所述第一预定实体边界直接连接所述第一端，所述源极包含一第二预定实体边界，以及所述第二预定实体边界直接连接所述第二端。所述漏源极包含位于所述硅表面下的一下方部份，所述下方部份的底部局限于一绝缘区，以及所述漏源极中除了所述下方部分外的侧壁局限于一间隔层。本发明相较于现有技术，可以在所述晶体管结构的关闭状态时仍具有低漏电流。

主权项：1.一种晶体管结构，其特征在于包含：一栅极，位于一第一硅材料的一硅表面上方；一通道区，位于所述硅表面下方且包含一第一端和一第二端；一漏极，独立于所述第一硅材料且不是由所述第一硅材料所衍生出来，其中所述漏极包含一第一预定实体边界，所述第一预定实体边界直接连接所述通道区的所述第一端，以及所述漏极被限制形成在覆盖所述栅极的间隔层与覆盖另一晶体管结构的栅极的间隔层之间，其中一金属层形成在所述漏极之上且被自我对准地限制在覆盖所述栅极的间隔层与覆盖所述另一晶体管结构的栅极的间隔层之间，并被限制在所述漏极与一绝缘层之间；及一源极，独立于所述第一硅材料且不是由所述第一硅材料所衍生出来，其中所述源极包含一第二预定实体边界，以及所述第二预定实体边界直接连接所述通道区的所述第二端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 钰创科技股份有限公司;发明创新暨合作实验室有限公司 晶体管结构与其工艺方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD