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申请/专利权人：湖南大学
申请日：2024-02-21
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN118051086A
主分类号：G05F1/56
分类号：G05F1/56;H02M1/00;H02M1/08;H02M1/088;H02M1/14;H02M3/158
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.06.04#实质审查的生效;2024.05.17#公开
摘要：本发明提供了一种四相NMOS开关型LDO，所述四相NMOS开关型LDO包括准三型补偿模块、四相PWM控制模块、功率管模块、辅助恒定电流控制模块。本发明通过单反馈环路和辅助恒定电流控制模块，解决了开关型LDO功率管面积过大，动态电压范围，负载瞬态恢复速度受慢反馈环路影响；本发明利用辅助恒定电流控制模块电路降低了工艺、电压、温度变化对流经功率管电流的影响以及其功率管波动造成的环路稳定性问题，获得一个低输出纹波，小输出电容，稳定性高的开关型LDO，满足系统级集成电路应用需求。
主权项：1.一种四相NMOS开关型LDO，其特征在于，所述四相NMOS开关型LDO包括准三型补偿模块、四相PWM控制模块、功率管模块、辅助恒定电流控制模块；所述准三型补偿模块用于：接收输出信号，将输出信号与基准电压进行比较，并且补偿一个极点两个零点以保证四相NMOS开关型LDO环路的稳定性；所述四相PWM控制模块用于：接收准三型补偿模块输出信号，将其与同频率四相的三角波信号进行比较，产生同频率四相的控制功率管的控制信号；所述功率管模块用于：接收四相PWM控制模块输出的同频率四相的控制功率管的控制信号，并负责输出电流向输出端；所述辅助恒定电流控制模块用于：接收基准电流信号，并根据基准电流信号产生功率管栅极电压信号，降低其受工艺、电压、温度变化的影响，提高电路的稳定性和可靠性。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 一种四相NMOS开关型LDO
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