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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日：2020-10-26
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN114599442B
主分类号：B01D53/04
分类号：B01D53/04;B01J20/26;B01J20/34;C07C63/28;C07C63/307;C07C63/42;C07F1/08;C07F5/00;C07F11/00;C07F15/02;C23C16/448;C23C16/455;H01L21/285
优先权：["20191105 JP 2019-200886"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2022.06.24#实质审查的生效;2022.06.07#公开
摘要：在供给对用于制造半导体装置的基板进行处理的处理气体时，具有收纳有多孔质部件的浓缩罐和构成为使吸附于多孔质部件的处理气体脱附的脱附机构。多孔质部件包含构成为优先吸附与载气混合的处理气体的金属有机结构体。处理气体被吸附、储存在浓缩罐的多孔质部件中，在使用时被脱附机构脱附。
主权项：1.一种对用于制造半导体装置的基板进行处理的装置，该装置的特征在于，具有：腔室，其收纳所述基板；原料罐，其收纳用于对所述基板进行处理的处理气体的原料；载气供给部，其构成为向所述原料罐供给载气；混合气体流路，其与所述原料罐连接，并且流通从所述处理气体的原料得到的处理气体与所述载气的混合气体；浓缩罐，其与所述混合气体流路的下游连接，并且收纳有多孔质部件，该多孔质部件包含构成为优先吸附所述混合气体所含的所述处理气体的金属有机结构体；脱附机构，其构成为使吸附于所述多孔质部件的所述处理气体脱附；浓缩气体流路，其设置于所述浓缩罐与所述腔室之间，并且向所述腔室供给从所述多孔质部件脱附的所述处理气体；和处理气体供给切断阀，其设置于所述浓缩气体流路，并且构成为进行所述处理气体向所述腔室的供给、停止，在所述浓缩气体流路中的所述处理气体供给切断阀的上游侧连接有用于排出载气的排出流路，在所述排出流路具有排出流路阀。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 处理基板的装置、浓缩处理气体的装置和处理基板的方法
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