申请/专利权人：天津大学

申请日：2022-08-29

公开（公告）日：2024-05-17

公开（公告）号：CN115341235B

主分类号：C25B11/075

分类号：C25B11/075;C25B1/30;C01B32/05

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.05.17#授权;2022.12.02#实质审查的生效;2022.11.15#公开

摘要：本发明属于电化学技术领域，具体涉及一种通过碳化钼制备的缺陷碳材料及其制备方法和用途。所述缺陷碳材料的晶格条纹间距大于0.335nm，所述缺陷碳材料中的缺陷位点是边缘缺陷位点和或空位缺陷位点。本发明选择负载在碳上的碳化钼Mo2CC作为母体催化剂，选择合适的电位范围，在0.1MKOH电解液中对母Mo2CC进行电化学循环伏安法CV，选择性刻蚀掉了化合物中的Mo元素，并使之衍生成特定结构的缺陷碳骨架。这种缺陷碳结构显著提高了催化剂两电子氧还原2e‑ORR合成H2O2的催化性能。电化学刻蚀技术可以根据不同金属元素的氧化还原电位不同，通过调节电位定向地去除某一组分并形成特定的结构。此技术操作简便，不涉及高温，具有快速、安全、结构可控的特点。

主权项：1.一种通过碳化钼制备的缺陷碳材料，其特征在于，所述缺陷碳材料的晶格条纹间距大于0.335nm，所述缺陷碳材料中的缺陷位点是边缘缺陷位点和或空位缺陷位点；所述缺陷碳材料通过以下制备方法得到，所述制备方法包括：步骤1，通过溶剂热法合成前驱体MoOx；步骤2，通过镁热还原反应制备母体Mo2CC；步骤3，通过电化学刻蚀法对所述母体Mo2CC进行活化制备所述的缺陷碳材料；所述步骤1通过溶剂热法合成MoOx前驱体的具体操作为：将MoCl5溶解在乙醇中，然后将得到的溶液转移到高压釜中，并在180℃下加热12h，冷却至室温后，固液分离，洗涤，干燥，得到前驱体MoOx；所述步骤2，通过镁热还原反应制备所述母体Mo2CC的具体操作为：首先，将0.2g步骤1得到的前驱体MoOx、0.2g葡萄糖、0.3gMg粉末和5gNaCl混合得到混合物，随后将所述混合物放入氩气氛围中的管式炉中进行煅烧，升温程序如下：室温以5°Cmin-1的速率加热至750°C，在该温度保持2h，然后以5°Cmin-1的速率降至室温，酸洗所得产物以去除形成的MgO，随后用水和乙醇洗涤，最后干燥，得到所述母体Mo2CC；所述步骤3，通过电化学刻蚀法对所述母体Mo2CC进行活化制备所述的缺陷碳材料的具体操作为：以HgHgO电极和石墨棒分别作为参比电极和对电极，以含有所述母体Mo2CC的电极材料作为工作电极，电解液为0.1MKOH溶液；在0.1至-0.8Vvs.HgHgO的电位范围内进行循环伏安法扫描，扫描1~30圈，得到所述缺陷碳材料。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 天津大学 一种通过碳化钼制备的缺陷碳材料及其制备方法和用途

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