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申请/专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日：2020-08-25
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN113130506B
主分类号：H10B43/30
分类号：H10B43/30;H10B43/27
优先权：["20200115 KR 10-2020-0005632"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开
摘要：半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法。提供了一种半导体存储器装置及其制造方法。该半导体存储器装置包括：单元层叠结构，其围绕第一沟道结构和第二沟道结构；第一源极选择线，其与单元层叠结构的第一区域交叠，并且围绕第一沟道结构；以及第二源极选择线，其与单元层叠结构的第二区域交叠并且围绕第二沟道结构。第一源极选择线和第二源极选择线中的每一者包括与单元层叠结构交叠的第一选择栅极层、设置在第一选择栅极层和单元层叠结构之间的第二选择栅极层以及设置在第一选择栅极层和第二选择栅极层之间的第三选择栅极层。
主权项：1.一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：在第一方向上延伸的第一沟道结构和第二沟道结构；单元层叠结构，所述单元层叠结构包括层间绝缘层和导电图案，所述层间绝缘层和所述导电图案在所述第一方向上交替地设置并且延伸以围绕所述第一沟道结构和所述第二沟道结构；第一源极选择线，所述第一源极选择线与所述单元层叠结构的第一区域交叠并且围绕所述第一沟道结构；以及第二源极选择线，所述第二源极选择线与所述单元层叠结构的第二区域交叠并且围绕所述第二沟道结构，其中，所述第一源极选择线和所述第二源极选择线中的每一者包括与所述单元层叠结构交叠的第一选择栅极层、设置在所述第一选择栅极层和所述单元层叠结构之间的第二选择栅极层以及设置在所述第一选择栅极层和所述第二选择栅极层之间的第三选择栅极层，并且其中，所述第二选择栅极层的电阻低于所述第一选择栅极层和所述第三选择栅极层中的每一个的电阻。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 爱思开海力士有限公司 半导体存储器装置及半导体存储器装置的制造方法
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