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申请/专利权人：洪瑛
申请日：2019-03-05
公开（公告）日：2024-05-17
公开（公告）号：CN111902925B
主分类号：H01L21/67
分类号：H01L21/67;C23C16/44;H01L21/02
优先权：["20180323 KR 10-2018-0034095","20190207 KR 10-2019-0014438"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.05.17#授权;2020.11.24#实质审查的生效;2020.11.06#公开
摘要：所公开的薄膜处理装置包括：喷头，用于执行对沿输送轨道移动的基座上的衬底的薄膜处理；一或多个输送器，用于支撑基座，其中输送器可在相对于轨道浮动且不接触轨道时沿输送路径输送基座，且还可控制基座的高度以便调整从衬底到喷头的距离；以及输送器控制系统，用于控制输送器。
主权项：1.一种薄膜处理设备，包括：至少一个隧道型处理腔室，安置于包括预定直线区段和弯曲区段的圆形输送轨道上；一或多个基座，其中的每一个沿所述输送轨道循环移动且包括在其上放置待处理衬底的载物台；薄膜处理喷头，执行对所述输送轨道上的所述衬底的薄膜处理且包括源气体供应模块、吹扫气体供应模块、反应气体供应模块以及排气模块中的至少一或多个；以及一或多个输送器，其中的每一个支撑所述基座，在相对于所述输送轨道浮动且不接触所述输送轨道时沿所述输送轨道输送所述基座，且控制所述基座的高度以调整从所述衬底到所述薄膜处理喷头的距离，其中所述薄膜处理喷头设置有多个喷嘴头，所述喷嘴头中的每一个包括气体腔室、连接到所述气体腔室的气体供应管和回流管、以及具有气体通路的旋转阀，用于将气体从所述气体腔室输送到所述衬底或所述回流管，并且进一步包括直线形主气体通路以及气体旁路，其中所述直线形主气体通路具有用于向所述衬底排出气体的排出口，且其中所述气体旁路从所述直线形主气体通路的中间延伸；其中，当所述基座进入所述喷头下方时，所述喷头会旋转至第一位置，使所述主气体通路与所述气体腔室连通，且所述气体腔室中的气体经由所述排出口排出至所述衬底上；以及其中，当所述基座远离所述喷头时，所述喷头旋转至第二位置，使所述气体旁路连通至所述气体腔室，使得从所述气体腔室引向所述衬底的所述气体从所述主气体通路立即返回至所述回流管。
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