申请/专利权人:通威微电子有限公司
申请日:2023-09-21
公开(公告)日:2024-05-17
公开(公告)号:CN220977228U
主分类号:C30B29/36
分类号:C30B29/36;C30B23/00
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.05.17#授权
摘要:本申请公开了一种坩埚和晶体生长装置,涉及半导体制造技术领域。本申请的坩埚包括坩埚主体和坩埚盖,坩埚主体形成具有开口的容纳腔,坩埚盖盖设于坩埚主体的容纳腔的开口处,坩埚盖上具有偏心设置的导气孔。由于导气孔是偏心设置的,因此在长晶面与坩埚同轴设置的情况下,瞬态长晶区域偏离中心轴线,实现非均匀对称式的晶体生长模式。随着坩埚相对于长晶面旋转,长晶气相组分沉积到长晶面上的位置周期性变换,同一时间整个晶体生长面范围只有部分区域有沉积生长,可尽量降低晶体生长中心的数量,从而减少不同生长中心之间台阶流的汇合和碰撞,提高晶体生长质量。本申请提供的晶体生长装置包括上述的坩埚,有利于提高晶体生长质量。
主权项:1.一种坩埚,其特征在于,包括:坩埚主体110,所述坩埚主体110形成具有开口的容纳腔;坩埚盖120,盖设于所述坩埚主体110的所述容纳腔的开口处,所述坩埚盖120上具有偏心设置的导气孔121。
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