申请/专利权人：福州大学

申请日：2014-06-25

公开（公告）日：2014-08-27

公开（公告）号：CN104008941A

主分类号：H01J31/12(2006.01)I

分类号：H01J31/12(2006.01)I;H01J29/04(2006.01)I

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2016.03.30#授权;2014.09.24#实质审查的生效;2014.08.27#公开

摘要：本发明提供了一种基于量子点材料的类SED结构，具体结构包括上下基片、荧光粉、阴极电极、栅极电极、阳极电极和量子点材料层。其中量子点材料层均匀分布在阴极电极和栅极电极之间，施加电压时上层量子点的电子可以从一个量子点发射到邻近的量子点，可以实现表面电子传导。该结构更为精密且不怕被氧化，有效降低驱动电压，保证电子稳定发射，同时简化制备工艺。

主权项：一种基于量子点材料的类SED结构，包括上下基片、荧光粉和电子发射源，其特征在于：电子发射源包括电子发射电极阵列和量子点材料层，所述电子发射电极阵列为上基片的阳极电极、下基片的阴极电极和栅极电极。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福州大学 一种基于量子点材料的类SED结构

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