申请/专利权人：西安交通大学

申请日：2014-04-02

公开（公告）日：2016-03-02

公开（公告）号：CN103935145B

主分类号：B41M1/12(2006.01)I

分类号：B41M1/12(2006.01)I;B41M1/26(2006.01)I;H01J9/02(2006.01)I

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2016.03.02#授权;2014.08.20#实质审查的生效;2014.07.23#公开

摘要：本发明公开了一种交叉电极结构的SED阴极基板的丝网印刷方法，先在基板上溅射形成电极阵列，然后在其上印刷扫描电极，再在扫描电极上印刷介质层，接着在介质层上印刷寻址电极，最后溅射表面传导电子发射薄膜，即得到交叉电极结构的SED阴极基板。其中在印刷介质层时，使介质层由扫描电极处分别向上下两侧纵向延伸，并使延伸部分的介质层的厚度沿延伸方向逐渐减小，这样既能保证介质层的绝缘性，又减小了介质层的厚度，并且能减小横纵电极的高度差，从而抑制寻址电极的扩散，降低丝网印刷制作交叉电极的难度，提高SED阴极基板制作的成功率，是一种新型的用于SED阴极基板制作的丝网印刷方法。

主权项：一种交叉电极结构的SED阴极基板的丝网印刷方法，其特征在于，包括以下步骤：1用磁控溅射法在基板上溅射若干组电极，形成电极阵列，其中每组电极包括纵向的第一电极230和横向的第二电极231，且每组电极中第一电极230和第二电极231之间有8～20μm的间隙；2用丝网印刷法在电极阵列上印刷若干行横向的扫描电极200，使电极阵列中每行的第一电极230共用一个扫描电极200，印刷时将扫描电极200印刷在第一电极230远离第二电极231的一端，使第一电极230靠近第二电极231的一端露出；3先用丝网印刷法在扫描电极200上印刷若干个介质层220，然后用丝网印刷法在电极阵列和介质层220上印刷若干列纵向的寻址电极210，使扫描电极200和寻址电极210的交叉部分通过介质层220间隔开并绝缘，并使电极阵列中每列的第二电极231共用一个寻址电极210，印刷时将寻址电极210印刷在第二电极231远离第一电极230的一端，使第二电极231靠近第一电极230的一端露出；其中在印刷每个介质层220时，使介质层220由扫描电极200处分别向上下两侧纵向延伸，并使延伸部分的介质层220的厚度沿延伸方向逐渐减小；所述的介质层220包括至少两层绝缘介质，各层绝缘介质均采用丝网印刷法通过移位承印面板或丝网的位置依次印刷制得，使得到的介质层220中位于扫描电极200上的部分的厚度大于两侧延伸部分的厚度，并使延伸部分的介质层220的厚度沿延伸方向逐渐减小；其中丝网印刷各层绝缘介质的印刷参数为：刮刀角度为76～78°，刮刀速度为1.5～2cms，基板与刮刀的距离为12.5～15mm；4用磁控溅射法在第一电极230和第二电极231相互靠近的一端及其间隙上溅射表面传导电子发射薄膜250。

全文数据：

权利要求：

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