申请/专利权人：英稳达科技股份有限公司

申请日：2011-08-15

公开（公告）日：2014-11-26

公开（公告）号：CN102623312B

主分类号：H01L21/265(2006.01)I

分类号：H01L21/265(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/068(2012.01)I

优先权：["2011.01.31 TW 100103798"]

专利状态码：失效-未缴年费专利权终止

法律状态：2020.07.31#未缴年费专利权终止;2014.11.26#授权;2012.09.26#实质审查的生效;2012.08.01#公开

摘要：一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法，至少包括以下步骤：提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的硅基板；施以第一次毯覆式且较低能量n型离子布植，以形成n型杂质第一掺杂区，因此，第一掺杂区与p型硅基板接面形成第一道pn接面空乏区；以及施以第二次较高能量n型离子布植，以具有多个开口图案的遮罩为离子布值遮罩，以形成多个n型杂质第二掺杂区，第二掺杂区连接自第一掺杂区且如弹头形向下延伸，第二掺杂区与p型硅基板接面形成弹头形的第二道pn接面空乏区，第一道pn接面空乏区与第二道pn接面空乏区相连接，電流增加池的製程扩大pn接面面积。采用本发明的增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法，可以增加光电流，使太阳能电池的光电转换效率大幅提升。

主权项：一种增加太阳能电池pn接面空乏区大小的方法，其特征在于，所述方法至少包括以下步骤：提供表面已粗糙化且为p型轻掺杂的半导体基板；施以第一次毯覆式，且较低能量高剂量的n型离子布植，以形成n型杂质第一掺杂区，所述第一掺杂区与p型半导体基板接面形成第一道pn接面空乏区；以及施以第二次毯覆式，且较高能量低剂量的n型离子布植，以形成n型杂质第二掺杂区，所述第二掺杂区连接所述第一掺杂区，且向所述第一掺杂区下方延伸，并覆盖过所述第一道pn接面空乏区，与所述p型半导体基板接面形成第二道pn接面空乏区，其中，布植剂量的选择以大于或能补偿p型半导体基板的原始掺杂浓度为原则，以增加所述pn接面空乏区的宽度。

全文数据：

权利要求：

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