申请/专利权人：代罗半导体有限公司

申请日：2016-01-20

公开（公告）日：2020-05-19

公开（公告）号：CN105843322B

主分类号：G05F3/26(20060101)

分类号：G05F3/26(20060101)

优先权：["20150129 US 14/608,494"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.05.19#授权;2018.02.16#实质审查的生效;2016.08.10#公开

摘要：本发明公开了一种电压参考电路及其工作方法，电压参考电路利用一对MOSFET之间的临界电压差，电压参考电路位于一电源及一接地点之间，用以产生一参考电压。电压参考电路包含一第一电流镜、一第二电流镜、一电流源、一放大器和一回授电路，该第一电流镜包括一第一NMOS晶体管及一第二NMOS晶体管，其中第一NMOS晶体管的临界电压不等于第二NMOS晶体管的临界电压，该第二电流镜具有一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管及一第三PMOS晶体管，该第一PMOS晶体管、该第二PMOS晶体管及该第三PMOS晶体管均与电源耦接，该放大器包括一第一输入端及一第二输入端，该第一输入端和该第二输入端分别电性连接至第一NMOS晶体管的汲极及第二NMOS晶体管的汲极，该回授电路与放大器的输出端连接。

主权项：1.一种电压参考电路，该电压参考电路位于一电源与一接地点之间，用于产生一参考电压，其特征在于，包含：一第一电流镜，其包括一第一NMOS晶体管及一第二NMOS晶体管，其中该第一NMOS晶体管的临界电压不等于该第二NMOS晶体管的临界电压；一第二电流镜，其包括一第一PMOS晶体管、一第二PMOS晶体管及一第三PMOS晶体管，该第一PMOS晶体管、该第二PMOS晶体管及该第三PMOS晶体管均与该电源耦接，其中该第一PMOS晶体管的闸极耦接至该第二PMOS晶体管的闸极及该第三PMOS晶体管的闸极，该第二PMOS晶体管的汲极耦接至该第一NMOS晶体管的汲极，该第三PMOS晶体管的汲极耦接至该第二NMOS晶体管的汲极；一电流源，其用于提供电流至该第二电流镜；一放大器，其包括一第一输入端及一第二输入端，该第一输入端和该第二输入端分别电性连接至该第一NMOS晶体管的汲极和该第二NMOS晶体管的汲极；及一回授电路，其与该放大器的输出端连接。

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权利要求：

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