申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2015-03-13

公开（公告）日：2020-06-26

公开（公告）号：CN106133911B

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101);H01L21/66(20060101)

优先权：["20140317 US 61/954,328","20150310 US 14/643,148"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.06.26#授权;2017.04.19#实质审查的生效;2016.11.16#公开

摘要：本发明涉及一种高灵敏度图像传感器，其包括本征或轻p掺杂例如小于约1013cm‑3的掺杂水平外延硅层。在所述外延层的前侧上制造CMOS或CCD电路。在所述外延层的背侧上生长p及n型外延层。纯硼层沉积于所述n型外延层上。在所述硼沉积过程期间，一些硼从所述背侧被驱动到所述n型外延层中达数纳米。抗反射涂层可被涂覆到所述纯硼层。在所述传感器的操作期间，数十到数百伏特的负偏压电压被施加到所述硼层，以使光子‑电子远离所述背侧表面加速且因雪崩效应而产生额外电子。接地p阱在需要时保护有源电路使其免受所述经反向加偏压外延层的影响。

主权项：1.一种背面照明雪崩传感器，其包括：外延硅层；薄型高度掺杂p型层、n型掺杂层及硼层，其安置于所述外延硅层的光敏表面上；及电路，其形成于所述外延硅层的相对表面上，其中所述外延硅层包括具有小于每立方厘米cm-32×1013掺杂剂原子的本征硅及p型掺杂硅中的一者，其中所述电路包括n型掺杂掩埋沟道，其中至少一些所述电路是在具有大于1016掺杂剂原子cm-3的掺杂剂浓度的接地p+阱中制造，其中所述薄型高度掺杂p型层包括具有大于5×1018掺杂剂原子cm-3的掺杂剂浓度及小于50nm的厚度的p型掺杂硅，且其中所述n型掺杂层包括具有介于5×1015掺杂剂原子cm-3与1017掺杂剂原子cm-3之间的掺杂剂浓度及介于1μm与5μm之间的厚度的n型掺杂硅。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 图像传感器、检验系统及检验物件的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD