申请/专利权人：东芝存储器株式会社

申请日：2019-07-26

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111668227A

主分类号：H01L27/11548(20170101)

分类号：H01L27/11548(20170101);H01L27/11551(20170101);H01L23/538(20060101);H01L21/768(20060101)

优先权：["20190305 JP 2019-040044"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.05.12#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：实施方式提供一种能够实现高集成化及高速化的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：衬底；第1绝缘层及第2绝缘层，在与衬底的表面交叉的第1方向上与衬底并排；空隙层，设置在第1绝缘层及第2绝缘层之间；以及第1接点电极及第2接点电极，在第1方向上延伸并在与第1方向交叉的第2方向上排列。第1接点电极及第2接点电极分别具备：第1方向的一端部；第1方向的另一端部；以及第1部分，设置在一端部与另一端部之间且第2方向上的宽度大于一端部的第2方向上的宽度及另一端部的第2方向上的宽度。第1接点电极的第1部分及第2接点电极的第1部分设置在空隙层。

主权项：1.一种半导体装置，具备：衬底；第1绝缘层及第2绝缘层，在与所述衬底的表面交叉的第1方向上与所述衬底并排；空隙层，设置在所述第1绝缘层与所述第2绝缘层之间；以及第1接点电极及第2接点电极，在所述第1方向上延伸并在与所述第1方向交叉的第2方向上排列；且所述第1接点电极及所述第2接点电极分别具备：所述第1方向的一端部；所述第1方向的另一端部；以及第1部分，设置在所述一端部与所述另一端部之间，且所述第2方向上的宽度大于所述一端部的所述第2方向上的宽度及所述另一端部的所述第2方向上的宽度；所述第1接点电极的第1部分及所述第2接点电极的第1部分设置在所述空隙层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东芝存储器株式会社 半导体装置

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