申请/专利权人：ASML荷兰有限公司

申请日：2019-01-08

公开（公告）日：2020-09-15

公开（公告）号：CN111670412A

主分类号：G03F7/20(20060101)

分类号：G03F7/20(20060101);G03F1/22(20060101);G03F1/24(20060101);G03F1/60(20060101);G03F1/84(20060101);G02F1/37(20060101);G01N21/956(20060101);G21K1/06(20060101)

优先权：["20180130 EP 18154116.0"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.11.28#授权;2020.10.13#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：公开了一种检测诸如反射性掩模衬底的衬底上的缺陷的方法以及相关联的设备。所述方法包括使用第一检测辐射来执行检测，第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。还公开了一种方法，该方法包括使用第一检测辐射来进行粗略检测310，第一检测辐射具有在第一波长范围内的一个或多个第一波长；以及使用第二检测辐射来执行精细检测320，第二检测辐射具有在第二波长范围内的一个或多个第二波长，所述第二波长范围包括比所述第一波长范围的波长短的波长。

主权项：1.一种用于探测反射性掩模版的衬底上的缺陷的检测方法，包括：使用第一检测辐射来执行所述检测，所述第一检测辐射从高次谐波生成源获得并且具有在20nm和150nm之间的第一波长范围内的一个或多个第一波长。

全文数据：

权利要求：

百度查询： ASML荷兰有限公司 检测设备和检测方法

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