申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2020-06-01

公开（公告）日：2020-10-16

公开（公告）号：CN111786769A

主分类号：H04L9/00(20060101)

分类号：H04L9/00(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.04.19#授权;2020.11.03#实质审查的生效;2020.10.16#公开

摘要：本发明公开了一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD。S型局部有源忆阻器LAM和电感L串联后与电容C并联后构成一个三阶系统，直流电压源与线性电阻串联后为S型局部有源忆阻器提供偏置电流。S型局部有源忆阻器具有纳米级尺寸优势，采用其设计的混沌电路体积小，结构简单，易于集成化，可以广泛地应用至电子通信领域及其他工程领域。其中S型局部有源忆阻器数学模型与现有模型相比，参数更少、表达形式更简单，有助于S型局部有源忆阻器的分析及其应用电路的探索研究。

主权项：1.一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构，其特征在于：电路包括一个S型局部有源忆阻器LAM、一个电容C、一个电感L、一个线性电阻R和一个直流电压源VD；直流电压源VD的负极与地端相连，正极与电阻R的一端相连；电阻R的另一端与电容C、电感L的一端相连；电感L的另一端与S型局部有源忆阻器LAM相连；S型局部有源忆阻器LAM的另一端与电容C的另一端相连后与地端相连；所述S型局部有源忆阻器LAM的数学模型为： 其中i,v,x分别为流经S型局部有源忆阻器LAM的电流、S型局部有源忆阻器LAM两端的电压和S型局部有源忆阻器LAM的状态变量，d2,d0,α1,α′0,β′1都是常数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种基于S型局部有源忆阻器混沌电路结构

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