申请/专利权人：中山大学

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117881196A

主分类号：H10B63/00

分类号：H10B63/00;H10N70/20;G01L1/20

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本发明涉及一种可压力调控的忆阻器阵列及其制备方法和应用。该可压力调控的忆阻器阵列的制备方法包括以下步骤：S1.在柔性基底上形成若干条忆阻器底电极，然后旋涂碳化钛分散液，再进行等离子体氧化处理，得到异质结薄膜‑底电极‑柔性基底；S2.在异质结薄膜‑底电极‑柔性基底上形成若干条忆阻器顶电极，然后从每条忆阻器顶电极延伸出叉指电极，再在每条叉指电极的表面形成压敏层，即得所述可压力调控的忆阻器阵列。该制备方法得到的忆阻器阵列不仅可以通过电信号或压力来进行调控，而且可以通过力控进行图形和数字等信息的输入和存储，实现忆阻器阵列在感存算一体设备领域的广泛应用。

主权项：1.一种可压力调控的忆阻器阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1.在柔性基底上形成若干条忆阻器底电极，然后旋涂碳化钛分散液，再进行等离子体氧化处理，得到异质结薄膜-底电极-柔性基底；S2.在异质结薄膜-底电极-柔性基底上形成若干条忆阻器顶电极，然后从每条忆阻器顶电极延伸出叉指电极，再在每条叉指电极的表面形成压敏层，即得所述可压力调控的忆阻器阵列；所述忆阻器底电极与忆阻器顶电极形成交叉阵列结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中山大学 一种可压力调控的忆阻器阵列及其制备方法和应用

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