申请/专利权人：深圳市芯天下技术有限公司

申请日：2020-06-29

公开（公告）日：2020-10-20

公开（公告）号：CN111798906A

主分类号：G11C16/30(20060101)

分类号：G11C16/30(20060101);G11C16/34(20060101);G11C29/44(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.03.18#发明专利申请公布后的驳回;2020.11.06#实质审查的生效;2020.10.20#公开

摘要：本发明公开了一种提高非型闪存数据保持能力方法、系统、存储介质和终端，定时检测和修复数据0的Vt值，当检测到数据0的Vt值低于设定值的时候，对其进行program操作，提高其Vt值，使其重新恢复正常Vt值；本检测和修复操作针对芯片内部所有非易失存储单元，在芯片处于空闲状态时进行，当芯片内部定时器达到设定的时间，芯片自动检测是否处于忙状态，当确认芯片处于空闲状态时，启动数据0的Vt值检测和修复功能；上位机也可主动启动flash数据0修复操作。

主权项：1.一种提高非型闪存数据保持能力方法，其特征在于，具体包括以下步骤：S1：判断芯片中存储单元数据0的阈值电压是否低于阈值电压预设值，是则跳转至S2，否则跳转至S3；S2：修复存储单元的数据0，使数据0的阈值电压提高，重新恢复正常值；S3：不修复存储单元的数据0。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市芯天下技术有限公司 提高非型闪存数据保持能力方法、系统、存储介质和终端

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