申请/专利权人：北京世纪金光半导体有限公司

申请日：2018-06-14

公开（公告）日：2020-11-10

公开（公告）号：CN211907436U

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2020.11.10#授权

摘要：本实用新型公开了一种FLR嵌入JTE的复合终端结构的功率器件，自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和JTE，所述P+区和所述JTE的一端连接；沿JTE设置有若干个FLR；所述FLR的结深大于JTE的厚度。本实用新型通过在功率器件耐压结终端中将传统结终端JTE结构和场限环FLR结构以及浪涌电流耐量增强结构结合起来，工艺简单，通过对JTE结构的进一步空间电场调制，是终端结构对JTE浓度敏感性降低，同时能大幅提高器件终端的反向耐压能力和减少所需耐压终端的芯片面积，以及增强器件的浪涌电流耐量。

主权项：1.一种FLR嵌入JTE的复合终端结构的功率器件，自上而下依次层叠设置有P型区、外延层、衬底层和阴极，阳极设置在P型区；在外延层的上方设置有P+区和JTE，所述P+区和所述JTE的一端连接；其特征在于，沿JTE设置有若干个FLR；所述FLR的结深大于JTE的厚度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京世纪金光半导体有限公司 一种FLR嵌入JTE的复合终端结构的功率器件

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