申请/专利权人：北京大学

申请日：2022-08-03

公开（公告）日：2024-02-13

公开（公告）号：CN117558620A

主分类号：H01L21/265

分类号：H01L21/265;H01L29/861;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.03.01#实质审查的生效;2024.02.13#公开

摘要：本发明公开一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法，属于宽禁带半导体材料领域。本发明通过在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界处进行氢等离子体处理，使H离子与重掺p型GaN层中Mg受主形成Mg‑H复合体，同时采用热退火处理使H离子在重掺p型GaN中扩散，形成在主结区至结边缘之间空穴浓度梯度渐变分布，从而实现JTE结终端。与现有结终端技术相比，本发明无刻蚀、低损伤，可以有效削弱电场集聚效应提高器件耐压。

主权项：1.一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法，所述GaN全垂直结构pn二极管从上往下依次包括：外延的重掺p型GaN层、轻掺n型GaN漂移层、重掺n型GaN电流扩展层和同质重掺n型GaN衬底，阳极金属设置在最上层重掺p型GaN层表面形成欧姆接触，阴极金属设置在最下层同质重掺n型GaN衬底背面形成欧姆接触，其特征在于，在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界处进行氢等离子体处理，使氢离子与重掺p型GaN层中Mg受主形成Mg-H复合体从而钝化氢处理区域p型GaN，同时采用热退火处理使氢离子在重掺p型GaN中扩散形成梯度分布，从而在主结区至结边缘之间形成空穴浓度梯度渐变分布，最终实现JTE结终端。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法

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