申请/专利权人：西电芜湖研究院有限责任公司

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810248A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明涉及一种栅控的纵向JTE终端结构及其制备方法，结构包括：N+衬底层；设置于N+衬底层上的N‑外延层设置于N‑外延层上的P+外延层；设置在N‑外延层的侧面、P+外延层的侧面和P+外延层的上表面的第一介质层；设置于沟槽内的阳极；侧壁金属栅电极，设置于位于N‑外延层两侧的第一介质层的侧壁上的侧壁金属栅电极；设置于阳极之上的顶电极；设置于第一介质层之上且位于侧壁金属栅电极和顶电极之间的第一绝缘介质层。本发明形成了纵向的JTE终端结构，通过控制栅压，形成浓度可控的JTE区域，借助栅压调制可以减少工艺对JTE区域电荷的影响，提升器件耐压，并且可有效提升芯片面积的利用率。

主权项：1.一种栅控的纵向JTE终端结构，其特征在于，所述纵向JTE终端结构包括：N+衬底层；N-外延层，设置于所述N+衬底层之上，所述N-外延层的截面形状为梯形；P+外延层，设置于所述N-外延层之上，所述P+外延层的截面形状为梯形，其中，所述P+外延层下表面的长度等于所述N-外延层上表面的长度；具有沟槽的第一介质层，所述第一介质层设置在所述N-外延层的侧面、所述P+外延层的侧面和所述P+外延层的上表面，其中，所述沟槽从所述第一介质层的上表面贯通至所述P+外延层的上表面；阳极，设置于所述沟槽内，其中，所述阳极和所述P+外延层之间为欧姆接触；侧壁金属栅电极，设置于位于所述N-外延层两侧的第一介质层的侧壁上；顶电极，设置于所述阳极之上；两部分第一绝缘介质层，每部分所述第一绝缘介质层设置于所述第一介质层之上，且位于所述侧壁金属栅电极和所述顶电极之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西电芜湖研究院有限责任公司 一种栅控的纵向JTE终端结构及其制备方法

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