申请/专利权人：西安奕斯伟硅片技术有限公司

申请日：2020-08-26

公开（公告）日：2020-11-24

公开（公告）号：CN111983430A

主分类号：G01R31/28(20060101)

分类号：G01R31/28(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2020.12.11#实质审查的生效;2020.11.24#公开

摘要：本发明涉及一种晶圆表面处理装置，用于采集晶圆表面的阴阳离子，包括用于容纳晶圆的微腔室，所述微腔室包括能够打开或关闭所述微腔室的盖板，所述微腔室的侧壁设置有用于引入溶解晶圆表面的阴阳离子的溶解液的液体入口，所述微腔室底部设置有用于引出溶解有晶圆表面的阴阳离子的溶液的液体出口，所述微腔室的侧壁上还设置有惰性气体入口和惰性气体出口，所述惰性气体入口处设置有气体流速控制结构，用于控制惰性气体流入所述微腔室内时间或流速。本发明还涉及一种晶圆表面阴阳离子取样方法。

主权项：1.一种晶圆表面处理装置，用于采集晶圆表面的阴阳离子，其特征在于，包括用于容纳晶圆的微腔室，所述微腔室包括能够打开或关闭所述微腔室的盖板，所述微腔室的侧壁设置有用于引入溶解晶圆表面的阴阳离子的溶解液的液体入口，所述微腔室底部设置有用于引出溶解有晶圆表面的阴阳离子的溶液的液体出口，所述微腔室的侧壁上还设置有惰性气体入口和惰性气体出口，所述晶圆表面处理装置还包括设置于所述惰性气体入口处和或所述惰性气体出口处的气体流速控制结构，用于控制惰性气体流入所述微腔室内的时长或流速。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安奕斯伟硅片技术有限公司 晶圆表面处理装置、晶圆表面阴阳离子取样方法

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