申请/专利权人：原子能和替代能源委员会

申请日：2019-05-14

公开（公告）日：2021-01-12

公开（公告）号：CN112219288A

主分类号：H01L33/62(20060101)

分类号：H01L33/62(20060101);H01L23/498(20060101)

优先权：["20180608 FR 1855010"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.08#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本公开涉及一种光子芯片，其包括：光学层38，其经由键合界面40键合到支撑件36；激光源71，其包括封装在光学层的封装子层122中的波导76，所述波导包括嵌在封装子层122内的第一电接触部148A、148B、148C。光子芯片包括形成通孔158A、158B、158C的互连金属网，该通孔在光学层38内从键合界面40延伸到波导的第一嵌入电接触部148A、148B、48C；264，该互连金属网包括金属通孔，该金属通孔将主要平行于芯片平面延伸的金属线彼此电连接，所述金属线在光学层38内是彼此叠置的。

主权项：1.一种光子芯片，其基本上位于被称为“芯片平面”的平面中，所述光子芯片包括：-衬底30，其具有平行于所述芯片平面的上表面和下表面32、34，所述衬底在所述上表面和下表面之间包括：●载体36，其厚度大于50μm，所述载体是没有光学部件的，●光学层38；202，其经由键合界面40键合至所述载体36，所述光学层从所述上表面到所述键合界面40依次包括：-氧化物子层90，以及-封装子层122，●激光源70；256，其被埋入所述光学层38；202中，所述激光源包括波导76；276，所述波导被形成在氧化物子层90的面向所述键合界面40的一侧上，并且所述波导被封装在所述封装子层的介电材料中，所述波导包括嵌入在所述封装子层122中的第一电接触部148A、148B、148C；264，其特征在于，所述光子芯片包括形成通孔158A、158B、158C；266的互连金属网，所述通孔在所述光学层38；202中从所述键合界面40延伸至所述波导的第一嵌入电接触部148A、148B、148C；264，所述互连金属网包括金属通孔140，所述金属通孔将主要平行于所述芯片平面延伸的金属线彼此电连接，这些金属线在所述光学层38；202内是彼此叠置的。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 原子能和替代能源委员会 具有埋入激光源的光子芯片

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