申请/专利权人：华邦电子股份有限公司

申请日：2022-09-29

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855257A

主分类号：H01L29/423

分类号：H01L29/423;H01L29/51;H10B12/00;H01L21/28

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：在此提供一种埋入式栅极结构及其形成方法及动态随机存取存储器结构。埋入式栅极结构包括第一栅极介电层、第一栅极电极、第二栅极介电层及绝缘盖层。第一栅极介电层形成于半导体衬底的栅极沟槽的下部的表面。第二栅极介电层形成于栅极沟槽的上部的表面。第一栅极介电层包括负电容介电材料，而第二栅极介电层包括不同于负电容介电材料的介电材料。第一栅极电极形成于第一栅极介电层上。第一栅极介电层与第二栅极介电层之间的界面低于半导体衬底的源极区与漏极区的底表面。绝缘盖层形成于第一栅极电极上，以填满栅极沟槽的剩余空间。本发明可补强栅极介电层抑制GIDL效应的能力，有效提升存储器装置的效能、成品率及可靠度。

主权项：1.一种埋入式栅极结构，其特征在于，设置于一半导体衬底的一栅极沟槽中，该栅极沟槽位于一源极区与一漏极区之间，该埋入式栅极结构包括：一第一栅极介电层，形成于该栅极沟槽的一下部的表面，其中该第一栅极介电层包括一负电容介电材料；一第一栅极电极，形成于该第一栅极介电层上；一第二栅极介电层，形成于该栅极沟槽的一上部的表面，其中该第二栅极介电层包括不同于该负电容介电材料的一介电材料，且该第一栅极介电层与该第二栅极介电层之间的界面低于该源极区与该漏极区的底表面；及一绝缘盖层，形成于该第一栅极电极上，以填满该栅极沟槽的剩余空间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华邦电子股份有限公司 埋入式栅极结构及其形成方法及动态随机存取存储器结构

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