【发明授权】半导体器件_三星电子株式会社_201610169618.X 

申请/专利权人:三星电子株式会社

申请日:2016-03-23

发明/设计人:刘庭均;李炯宗;金盛民;张锺光

公开(公告)日:2021-01-12

代理机构:北京铭硕知识产权代理有限公司

公开(公告)号:CN106057890B

代理人:尹淑梅;冯敏

主分类号:H01L29/78(20060101)

地址:韩国京畿道水原市

分类号:H01L29/78(20060101);H01L29/10(20060101)

优先权:["20150402 KR 10-2015-0046761"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2021.01.12#授权;2018.01.09#实质审查的生效;2016.10.26#公开

摘要:公开了一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一和第二鳍图案,通过第一沟槽隔开;栅电极,与第一和第二鳍图案交叉;和接触件,在栅电极的至少一侧上,接触件接触第一鳍图案,接触件具有不接触第二鳍图案的底表面,在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度,在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度,第一高度小于第二高度。

主权项:1.一种半导体器件,所述半导体器件包括:第一鳍图案和第二鳍图案,由第一沟槽隔开,第一鳍图案和第二鳍图案沿第一方向延伸;栅电极,沿第二方向延伸,栅电极与第一鳍图案和第二鳍图案交叉;以及接触件,在栅电极的至少一侧上,接触件接触第一鳍图案,接触件具有不接触第二鳍图案的底表面,在接触件与第一鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第一鳍图案的最顶端的高度是第一高度,在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第二鳍图案交叉的区域中从第一沟槽的底部到第二鳍图案的最顶端的高度是第二高度,第一高度小于第二高度。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 三星电子株式会社 半导体器件