申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请日：2022-09-27

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832087A

主分类号：H01L21/336

分类号：H01L21/336;H01L29/78

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：一种鳍式晶体管器件的形成方法，包括：提供待刻蚀层，包括器件区和隔离区；在待刻蚀层上形成图形化层；在图形化层上形成第一芯轴层；在第一芯轴层侧壁形成第一侧墙；以第一侧墙为掩膜刻蚀图形化层在器件区上形成第一图形化结构；在隔离区上形成第二芯轴层；在第一图形化结构和第二芯轴层的侧壁形成第二侧墙；以第二侧墙为掩膜刻蚀待刻蚀层在器件区内形成若器件结构。通过在隔离区上形成第二芯轴层，在每个第二芯轴层侧壁上形成的两个第二侧墙会分布到相邻的器件区上，使得每个器件区上的第二侧墙总数量为奇数，进而能够保证在每个器件区内形成的器件结构的数量也为奇数，不需要再对部分器件结构进行额外的去除处理，以此降低工艺难度与制作成本。

主权项：1.一种鳍式晶体管器件的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层包括沿第一方向交替排布的器件区和隔离区；在所述待刻蚀层上形成图形化层；在所述图形化层上形成若干第一芯轴层；在所述第一芯轴层的侧壁形成第一侧墙；在形成所述第一侧墙之后，去除所述第一芯轴层；以所述第一侧墙为掩膜刻蚀所述图形化层，在所述器件区上形成若干第一图形化结构，且若干所述第一图形化结构暴露出所述隔离区的顶部表面；在所述器件区上形成所述第一图形化结构之后，在以相邻所述第一芯轴层为基础形成的所述第一图形化结构之间的所述隔离区上形成第二芯轴层；在所述第一图形化结构的侧壁和所述第二芯轴层的侧壁形成第二侧墙；在形成所述第二侧墙之后，去除所述第一图形化结构和所述第二芯轴层；以所述第二侧墙为掩膜刻蚀所述待刻蚀层，在所述器件区内形成若干器件结构、以及在所述隔离区内形成隔离沟槽。

全文数据：

权利要求：

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