申请/专利权人：杭州暖芯迦电子科技有限公司

申请日：2019-07-17

公开（公告）日：2021-01-19

公开（公告）号：CN112237682A

主分类号：A61N1/05(20060101)

分类号：A61N1/05(20060101);B81B1/00(20060101);B81B7/02(20060101);B81C1/00(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.02.12#实质审查的生效;2021.01.19#公开

摘要：一种微型高密度阵列自由曲面电极，包括基底和若干个电极柱；所述的基底包括焊接面和刺激面；所述的电极柱包括柱头和柱尾；所述的电极柱贯穿基底，柱尾与焊接面呈一个平面，柱头凸出于刺激面。常见的神经刺激电极其电极柱尾部往往设在基底内部，然后再从基底内部引出导线与刺激芯片连接。本发明采用的贯穿式电极结构相较现有结构，在制作上更加方便，适合大批量制作，而且电极柱的柱尾裸露在基底的焊接面，使得刺激芯片的管脚可以和电极柱直接连接，省去了导线，简化了制作工艺。

主权项：1.一种微型高密度阵列自由曲面电极，其特征在于，包括基底1和若干个电极柱2；所述的基底1包括焊接面和刺激面；所述的电极柱2包括柱头和柱尾；所述的电极柱2贯穿基底1，柱尾与焊接面呈一个平面，柱头凸出于刺激面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州暖芯迦电子科技有限公司 一种微型高密度阵列自由曲面电极及其制造方法

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