申请/专利权人：科磊股份有限公司

申请日：2018-05-04

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN110582842B

主分类号：H01L21/66(20060101)

分类号：H01L21/66(20060101);G01Q90/00(20060101)

优先权：["20170505 US 62/502,459","20170808 US 15/671,230"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.23#授权;2020.06.02#实质审查的生效;2019.12.17#公开

摘要：在利用扫描电子显微镜进行检验或再检测期间可使用来自计量工具的信息。在场内对晶片的计量测量进行内插及或外推，这形成经修改计量数据。使所述经修改计量数据与来自晶片的检验测量的缺陷属性相关联。基于所述缺陷属性及所述经修改计量数据而产生晶片再检测取样计划。在使用所述扫描电子显微镜对晶片进行再检测期间可使用所述晶片再检测取样计划。

主权项：1.一种方法，其包括：在控制器处接收计量测量及检验测量，其中所述计量测量及检验测量是一或多个晶片的计量测量及检验测量；使用所述控制器在晶片的场内对所述计量测量进行内插及或外推，借此形成经修改计量数据，其中所述场囊括跨越所述晶片的表面的装置，且其中所述经修改计量数据是跨越所述晶片的所述表面的均匀网格；使用所述控制器使来自所述检验测量的缺陷属性与所述经修改计量数据相关联，其中所述经修改计量数据包括叠对向量；及使用所述控制器产生晶片再检测取样计划，所述晶片再检测取样计划基于所述缺陷属性及所述经修改计量数据中的最大变化而被加权。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 科磊股份有限公司 依据光学检验结果进行计量导引检验样品成形

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