申请/专利权人：福建省晋华集成电路有限公司

申请日：2020-05-28

公开（公告）日：2021-02-23

公开（公告）号：CN212587510U

主分类号：H01L27/108(20060101)

分类号：H01L27/108(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.02.23#授权

摘要：本实用新型公开了一种半导体结构，包含衬底，复数个接触结构，位于所述衬底上，一组第一图案位于所述接触结构上方，其中所述第一图案包含有复数条第一曲线图案，以及一组第二图案与所述第一图案位于同一平面，其中所述第二图案包含有复数条第二曲线图案，其中从一上视图来看，所述复数条第一曲线图案与所述复数条第二曲线图案相互交叉。

主权项：1.一种半导体结构，包含:衬底；复数个接触结构，位于所述衬底上；一组第一图案位于所述接触结构上方，其中所述第一图案包含有复数第一曲线图案；一组第二图案，与所述第一图案位于同一平面，其中所述第二图案包含有复数第二曲线图案，其中从一上视图来看，所述复数条第一曲线图案与所述复数条第二曲线图案相互交叉；以及复数个存储点接触垫，其中任一所述存储点接触垫，是由任意两相邻的第一曲线图案与任意两相邻的第二曲线图案包围所形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 福建省晋华集成电路有限公司 半导体结构

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