申请/专利权人：复旦大学

申请日：2020-11-20

公开（公告）日：2021-02-26

公开（公告）号：CN112420095A

主分类号：G11C11/16(20060101)

分类号：G11C11/16(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开

摘要：本发明属于存储器技术领域，具体为一种基于重金属层磁性隧道结对的自旋轨道矩磁性随机存储器。本发明的随机存储器，其存储单元包括：一个重金属导电层、两个磁阻元件和三个开关元件；所述的两个磁阻元件第一层是磁化方向固定的磁性材料层，第二层是非磁性材料层，第三层是磁化方向可变的磁性材料层，这两个磁阻元件均邻接到同一重金属导电层上，组成差分结构。本发明的自旋轨道矩磁性随机存储器，利用一组共用重金属层的互补磁性隧道结构建自旋轨道矩磁性随机存储器的存储单元，差分结构提高其读取裕度，重金属层的共用使面积代价减小，也使写入控制逻辑更为简单。

主权项：1.一种基于重金属层磁性隧道结对的自旋轨道矩磁性随机存储器，其特征在于，其存储单元包括一个重金属导电层、两个磁阻元件和三个开关元件；其中：所述第一个开关元件第一端与写位线相连；所述第一个开关元件第二端与所述重金属导电层第一端相连；所述第一个开关元件控制端与写字线相连；所述重金属导电层第二端与源线相连；所述第一个磁阻元件第一端与所述第二个开关元件第一端相连；所述第一个磁阻元件第二端邻接到所述重金属导电层第一端与第二端之间的中间位置；所述第二个磁阻元件第一端与所述第三个开关元件第一端相连；所述第二个磁阻元件第二端邻接到所述重金属导电层第一端与第二端之间的中间位置；所述第二个开关元件第二端与第一条读位线相连；所述第二个开关元件控制端与读字线相连；所述第三个开关元件第二端与第二条读位线相连；所述第三个开关元件控制端与读字线相连；所述存储单元的两个磁阻元件构成差分电路，利用它们读取电流的相互比较，读出存储单元所存储的值。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 复旦大学 基于重金属层磁性隧道结对的自旋轨道矩磁性随机存储器

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