申请/专利权人：山东华芯半导体有限公司

申请日：2020-11-24

公开（公告）日：2021-02-26

公开（公告）号：CN112420111A

主分类号：G11C16/34(20060101)

分类号：G11C16/34(20060101);G06F12/02(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.01.26#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2021.02.26#公开

摘要：本发明公开一种NANDFlashLUN自组读电压序列的方法，本方法在每一种影响因素到达一定步长阈值时应该进行一次电压值序列的查找，当NAND内Block状态巡检时发现某LUN内首个Block接近影响因素步长阈值时，查找该Block各个Wordline分组在当前环境条件下的最优读电压值序列，并将该条件与读电压值序列保存在内存内。当该LUN内其他Block达到影响因素步长阈值时，首先查找是否已经存在该影响因素步长阈值条件下的读电压值序列，如果存在直接使用。本方法可以在NANDFlash每个LUN内根据实际运行环境自组最优电压序列，有效减少读错误数和读操作错误率，极大提高SSD运行时效率和对不同环境的适应性。

主权项：1.一种NANDFlashLUN自组读电压序列的方法，其特征在于：包括以下步骤：S01）、确定NANDFlash读电压的影响因素，确定影响因素的基数和步长；S02）、Block状态定时巡检，定时巡检以LUN为单位、对LUN内所有Block进行巡检，将LUN内首个达到影响因素步长阈值的Block放入查找最优电压值序列的队列内，然后根据影响因素查找最优读电压V1；S03）、将最优读电压V1和最优读电压V1对应的影响因素保存起来；S04）、当同一LUN内有Block达到影响因素条件时，使用符合该条件的最优读电压V1读取数据；S05）、读取完成后检查该Block的错误数是否大于错误数阈值与错误数溢出上限的和，如果大于则将该Block添加到查找最优电压值序列的队列中，然后查找该Block对应的最优读电压V2；S06）、对同一LUN内达到影响因素条件的其他Block执行步骤S04、S05的操作，根据读取情况最优电压值序列的队列扩展到最优读电压V3；S07）、电压值序列V1、V2、V3每次使用成功时权重加1，将权重最高的设置为V1；使用V1失败后使用V2，使用V2失败后使用V3。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 山东华芯半导体有限公司 一种NANDFlash LUN自组读电压序列的方法

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