申请/专利权人：北京科技大学

申请日：2020-12-08

公开（公告）日：2021-04-09

公开（公告）号：CN112625278A

主分类号：C08J5/18(20060101)

分类号：C08J5/18(20060101);C08J3/24(20060101);C08G73/10(20060101);C08L79/08(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2022.10.18#发明专利申请公布后的驳回;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法，属于微电子技术领域。所述聚酰亚胺薄膜采用联苯四甲酸二酐BPDA、1，4‑双4‑氨基‑2‑三氟甲基苯氧基苯6FAPB为单体，以三4‑氨基苯基胺TPA为交联剂，通过原位聚合的方法制备成5～15微米的薄膜，薄膜的介电常数为1.76～2.80。聚合过程中涉及的氨基总量与酸酐基总量的摩尔比为1∶1，其中三4‑氨基苯基胺中的氨基数在总的氨基数中所占的摩尔百分数为0.1～20.0％。该薄膜具有介电常数低、热力学性能稳定、加工性能良好的特点，在柔性电路板、微电子封装等领域具有广阔的应用前景。

主权项：1.一种低介电聚酰亚胺薄膜，其特征在于，所述聚酰亚胺为交联聚酰亚胺，聚合所用单体为联苯四甲酸二酐BPDA、1,4-双4-氨基-2-三氟甲基苯氧基苯6FAPB，交联剂为三4-氨基苯基胺TPA。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京科技大学 一种低介电聚酰亚胺薄膜及其制备方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD