申请/专利权人：无锡华润上华科技有限公司

申请日：2019-10-10

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN112652521A

主分类号：H01L21/027(20060101)

分类号：H01L21/027(20060101);H01L21/66(20060101);G03F1/44(20120101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.20#授权;2021.04.30#实质审查的生效;2021.04.13#公开

摘要：本发明提供一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版。所述方法包括：获取待监控的半导体工艺及其设计规则；根据所述设计规则设计监控图形，所述监控图形包括产品晶圆上对应于所述半导体工艺的关键图形；制作所述产品晶圆的掩膜版，其中，在制作所述掩膜版的过程中将所述监控图形导入所述产品晶圆的所述掩膜版的切割道区域；制造所述产品晶圆并在制造所述产品晶圆的过程中进行所述产品晶圆的失效分析。根据本发明，使后续制造的产品晶圆中同时得到各种不同监控工艺的监控图形结构，工作量低、分析效率高；针对同一种工艺，在不同产品上实现监控图形的整体形貌的监控，避免监控产品更改所带来的影响，数据规范统一，可实现工艺长期监控。

主权项：1.一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法，其特征在于，包括：获取待监控的半导体工艺及其设计规则；根据所述设计规则设计监控图形，所述监控图形包括产品晶圆上对应于所述半导体工艺的关键图形；制作所述产品晶圆的掩膜版，其中，在制作所述掩膜版的过程中将所述监控图形导入所述产品晶圆的所述掩膜版的切割道区域；制造所述产品晶圆并进行所述产品晶圆的失效分析。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润上华科技有限公司 一种对半导体制造中的晶圆进行监控的方法和掩膜版

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