申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2016-03-07

公开（公告）日：2021-04-13

公开（公告）号：CN106024868B

主分类号：H01L29/417(20060101)

分类号：H01L29/417(20060101);H01L29/78(20060101)

优先权：["20150327 KR 10-2015-0043085"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.13#授权;2018.04.03#实质审查的生效;2016.10.12#公开

摘要：提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源漏接触件共同连接到源漏接触件下方的源区漏区，多个源区漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。

主权项：1.一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源图案和第二有源图案，第一有源图案和第二有源图案从基底突出；装置隔离图案，在基底上以部分覆盖第一有源图案和第二有源图案的侧壁；栅极结构在装置隔离图案上并且与第一有源图案和第二有源图案交叉第一源区漏区和第二源区漏区，分别在第一有源图案和第二有源图案上；以及第一源漏接触件，共同连接到第一源区漏区和第二源区漏区，其中，第一源区漏区和第二源区漏区设置在栅极结构的一侧，其中，第一源区漏区包括：第一部分，与第一部分下方的第一有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大；以及第二部分，从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，其中，第一源漏接触件的在第一有源图案的中心上的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低，其中，在第一有源图案和第二有源图案之间限定有空气隙，其中，装置隔离图案包括位于栅极结构下方的第一区域以及位于栅极结构的一侧的第二区域，并且其中，空气隙在装置隔离图案的第二区域和第一源漏接触件之间。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置

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