申请/专利权人：晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司

申请日：2020-12-29

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112713200A

主分类号：H01L31/0216(20140101)

分类号：H01L31/0216(20140101);H01L31/072(20120101);H01L31/20(20060101)

优先权：

专利状态码：失效-发明专利申请公布后的驳回

法律状态：2023.10.27#发明专利申请公布后的驳回;2021.10.08#实质审查的生效;2021.04.27#公开

摘要：本发明公开了一种优化型异质结太阳能电池，包括：硅层衬底，依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极；以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极；其中，所述第二导电膜层的厚度比所述第一导电膜层的厚度厚10±3nm。本发明提供了一种优化型异质结太阳能电池及其制备方法，本发明制备工艺在原有工艺的基础上，对正面和背面的导电膜层采用不同的薄膜厚度，通过本发明制备工艺制备出的太阳能电池，既不影响其余性能，同时将电池背面膜层的方块电阻继续降低，从而获得高的填充因子，带来效率的提升，具有深远的市场发展前景。

主权项：1.一种优化型异质结太阳能电池，包括：硅层衬底，其特征在于，还包括：依次设置在所述硅层衬底正面的第一本征非晶硅层、第一非晶硅膜层、第一导电膜层和第一金属电极；以及依次设置在所述硅层衬底背面的第二本征非晶硅层、第二非晶硅膜层、第二导电膜层和第二金属电极；其中，所述第二导电膜层的厚度比所述第一导电膜层的厚度厚10±3nm。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晋能清洁能源科技股份公司;晋能光伏技术有限责任公司 一种优化型异质结太阳能电池及其制备方法

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