申请/专利权人：晶芯成(北京)科技有限公司

申请日：2020-11-09

公开（公告）日：2021-04-27

公开（公告）号：CN112103332B

主分类号：H01L29/06(20060101)

分类号：H01L29/06(20060101);H01L29/423(20060101);H01L27/11(20060101);H01L21/8244(20060101);H01L21/762(20060101);H01L21/28(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2021.04.27#授权;2021.01.05#实质审查的生效;2020.12.18#公开

摘要：本发明提出一种静态随机存取存储器及其制造方法，包括：衬底，所述衬底中包括多个隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中隔离出间隔分布的有源区；第一栅极结构，位于所述有源区上；第二栅极结构，位于所述隔离结构上，且所述第二栅极结构在所述衬底方向上的投影区位于所述隔离结构内；掺杂区，位于所述有源区的所述衬底中，且位于所述第一栅极结构的两侧；层间介质层，位于所述衬底上，覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；接触电极，位于所述层间介质层中，所述接触电极的底部与部分所述第二栅极结构、部分所述隔离结构连接。本发明提出的静态随机存取存储器可以避免漏电，提高产品良率。

主权项：1.一种静态随机存取存储器，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中包括多个隔离结构，所述隔离结构在所述衬底中隔离出间隔分布的有源区；第一栅极结构，位于所述有源区上；第二栅极结构，位于所述隔离结构上，且所述第二栅极结构在所述衬底方向上的投影区位于所述隔离结构内；掺杂区，位于所述有源区中的所述衬底中，且位于所述第一栅极结构的两侧；层间介质层，位于所述衬底上，覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；接触电极，位于所述层间介质层中，所述接触电极的底部与部分所述第二栅极结构、部分所述隔离结构连接；残留的侧墙，位于所述第二栅极结构的底部，暴露出所述第二栅极结构靠近所述第一栅极结构一侧；其中，所述接触电极与所述隔离结构连接的长度大于或等于所述掺杂区的长度；其中，所述接触电极还连接所述第二栅极结构靠近所述第一栅极结构的一侧；其中，所述掺杂区包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区的离子掺杂类型不同于所述第二掺杂区的离子掺杂类型；其中，位于所述第二栅极结构两侧的所述隔离结构的长度大于所述掺杂区的长度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 晶芯成(北京)科技有限公司 一种静态随机存取存储器及其制造方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD