申请/专利权人：光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司

申请日：2020-12-28

公开（公告）日：2021-05-07

公开（公告）号：CN112763549A

主分类号：G01N27/12(20060101)

分类号：G01N27/12(20060101);B82Y15/00(20110101);B82Y40/00(20110101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.25#授权;2021.05.25#实质审查的生效;2021.05.07#公开

摘要：本发明提供了一种气敏传感器的制备方法，包括：提供一α‑Fe2O3纳米线；在所述α‑Fe2O3纳米线的表面沉积ZnO籽晶层，形成α‑Fe2O3ZnO核壳纳米线；对所述α‑Fe2O3ZnO纳米线进行电极沉积，形成气敏传感器前驱体；对所述气敏传感器前驱体中α‑Fe2O3ZnO核壳纳米线进行枝化，形成基于单根α‑Fe2O3纳米线表面枝化ZnO纳米线结构的气敏传感器。本发明采用在给核壳纳米线搭上电极后再进行纳米线枝化的方法，结合了粉体纳米结构和单根纳米结构的优势，克服了在复杂结构上搭盖电极容易被戳破的困难。制备工艺可重复性强，成品率高，有利于规模化制备。有效地提高气敏传感器对H2S气体响应，且具有利于小型集成化、高比表面积以及优良稳定性等优点，提升了对气体的敏感性。

主权项：1.一种气敏传感器的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供一α-Fe2O3纳米线；在所述α-Fe2O3纳米线的表面沉积ZnO籽晶层，形成α-Fe2O3ZnO核壳纳米线；对所述α-Fe2O3ZnO纳米线进行电极沉积，形成气敏传感器前驱体；对所述气敏传感器前驱体中α-Fe2O3ZnO核壳纳米线进行枝化，形成基于单根α-Fe2O3纳米线表面枝化ZnO纳米线结构的气敏传感器。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 光华临港工程应用技术研发(上海)有限公司 气敏传感器的制备方法及气敏传感器

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD