申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-12-23

公开（公告）日：2021-04-30

公开（公告）号：CN112740375A

主分类号：H01L21/3105(20060101)

分类号：H01L21/3105(20060101);H01L27/11565(20170101);H01L27/1157(20170101);H01L27/11573(20170101);H01L27/11575(20170101);H01L27/11582(20170101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2023.02.10#授权;2021.05.21#实质审查的生效;2021.04.30#公开

摘要：提供了在形成诸如三维3D存储器件的半导体器件时使用自动停止浆料抛光电介质层的方法。例如，在阶梯区域和核心阵列区域中形成堆叠结构。堆叠结构包括多个交错的第一材料层和第二材料层。交错的第一材料层和第二材料层的边缘在阶梯区域中的堆叠结构的一侧上限定阶梯结构。在阶梯区域和堆叠结构外部的外围区域之上形成电介质层。电介质层包括从堆叠结构的突起。使用自动停止浆料抛光电介质层，以去除电介质层的突起。

主权项：1.一种用于形成三维3D存储器件的方法，包括：在阶梯区域和核心阵列区域中形成堆叠结构，所述堆叠结构包括多个交错的第一材料层和第二材料层，所述交错的第一材料层和第二材料层的边缘在所述阶梯区域中的所述堆叠结构的一侧上限定阶梯结构；在所述阶梯区域和所述堆叠结构外部的外围区域之上形成电介质层，所述电介质层包括从所述堆叠结构的突起；以及使用自动停止浆料抛光所述电介质层，以去除所述电介质层的所述突起。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于在形成半导体器件时抛光电介质层的方法

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