申请/专利权人：上海华力集成电路制造有限公司

申请日：2021-01-28

公开（公告）日：2021-06-08

公开（公告）号：CN112928132A

主分类号：H01L27/146(20060101)

分类号：H01L27/146(20060101)

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2021.06.25#实质审查的生效;2021.06.08#公开

摘要：本发明提供一种增强BSI图像传感器对抗暗电流的方法，提供基底，基底上表面具有自然氧化层；去除基底上的所述自然氧化层；利用解耦等离子体氧化法在基底上表面生长一层薄膜氧化层；该解耦等离子体氧化法在氧化过程中的温度为200～500℃；该解耦等离子氧化法利用连续脉冲的模式，并以氧气为解离气体；在薄膜氧化层上生长一层氧化铝薄膜；在氧化铝薄膜上生长一层氧化钽薄膜；在氧化钽薄膜上生长一层氧化物层。本发明利用高温生长环境以及连续脉冲模式下解耦等离子体氧化法生长的薄膜氧化层，与现有技术相比，生长相同厚度的薄膜氧化层，其薄膜表面的缺陷浓度降低，并且器件的光学电性参数暗电流降低，从而提升了界面处薄膜的质量。

主权项：1.一种增强BSI图像传感器对抗暗电流的方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：步骤一、提供基底，所述基底上表面具有自然氧化层；步骤二、去除所述基底上的所述自然氧化层；步骤三、利用解耦等离子体氧化法在所述基底上表面生长一层薄膜氧化层；该解耦等离子体氧化法在氧化过程中的温度为200～500℃；该解耦等离子氧化法利用连续脉冲的模式，并且以氧气为解离气体；步骤四、在所述薄膜氧化层上生长一层氧化铝薄膜；步骤五、在所述氧化铝薄膜上生长一层氧化钽薄膜；步骤六、在所述氧化钽薄膜上生长一层氧化物层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力集成电路制造有限公司 一种增强BSI图像传感器对抗暗电流的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD