申请/专利权人：景德镇陶瓷大学

申请日：2021-05-14

公开（公告）日：2021-07-23

公开（公告）号：CN113149619A

主分类号：C04B35/10(20060101)

分类号：C04B35/10(20060101);C04B35/622(20060101);C04B35/638(20060101);C04B35/64(20060101)

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.11#授权;2021.08.10#实质审查的生效;2021.07.23#公开

摘要：本发明公开一种高强度低介电损耗氧化铝陶瓷基片，所述氧化铝陶瓷基片按重量百分比由99.6～99.8wt%氧化铝和0.2～0.4wt%烧结助剂组成，采用超高压均质技术分散纳米氧化铝粉，然后通过球磨工艺将微量烧结助剂引入剂（0.2~0.4wt%）披覆在氧化铝颗粒表面，运用轧膜工艺制备氧化铝陶瓷生坯片，陶瓷生坯片经等静压处理并排胶后在950～1050℃条件下采用电场辅助低温快速烧技术，显著降低基片烧结温度和烧结时间，从而控制陶瓷晶粒尺寸0.4～0.6μm并抑制其高频下的介电损耗10‑4。本发明所制得的氧化铝陶瓷基片性能优良、制备工艺易控、成本低廉等优点，因此具有广阔的市场前景。

主权项：1.一种高强度低介电损耗氧化铝陶瓷基片，其特征在于：所述氧化铝陶瓷基片按重量百分比由99.6～99.8wt%氧化铝和0.2～0.4wt%烧结助剂组成，经原料均质分散、练泥、制浆、干燥脱水、成型、裁切、结构均化、排胶、快速烧结、抛光后获得制品。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 景德镇陶瓷大学 一种高强度低介电损耗氧化铝陶瓷基片

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