申请/专利权人：合肥睿科微电子有限公司

申请日：2020-06-09

公开（公告）日：2021-09-21

公开（公告）号：CN113424318A

主分类号：H01L27/115(20170101)

分类号：H01L27/115(20170101)

优先权：["20190617 US 62/862,307","20191030 US 16/669,391"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.27#授权;2022.04.26#实质审查的生效;2021.09.21#公开

摘要：一种非易失性存储单元，包括：底电极；含导电材料的顶电极；设于所述底电极和所述顶电极之间的电阻层；以及覆盖所述顶电极和所述电阻层侧面的侧面部分。该侧面部分含所述导电材料的氧化物。所述非易失性存储单元还包括设于所述顶电极上的接触导线。所述接触导线的宽度小于所述侧面部分的外侧面间宽度。

主权项：1.一种非易失性存储单元，其特征在于，包括：一底电极；含导电材料的一顶电极；一电阻层，设于所述底电极和所述顶电极之间；侧面部分，覆盖所述顶电极和所述电阻层的侧面，所述侧面部分包括所述导电材料的氧化物；以及一接触导线，设于所述顶电极上，其中，所述接触导线的宽度小于所述侧面部分的外侧面之间的宽度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥睿科微电子有限公司 非易失性存储单元、非易失性存储单元阵列及其制造方法

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