申请/专利权人：广州粤芯半导体技术有限公司

申请日：2022-08-23

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN115083875A

主分类号：H01J37/304

分类号：H01J37/304;H01J37/317;H01L21/66

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.11.22#授权;2022.10.11#实质审查的生效;2022.09.20#公开

摘要：本发明提供一种离子注入工艺监控方法及其离子注入工艺，该离子注入工艺监控方法包括以下步骤：提供一待离子注入晶圆，并于晶圆的上表面依次形成保护层及光阻层，将晶圆固定于靶盘上，基于光阻层对晶圆进行离子注入；读出离子注入机台的工作日志中离子束带的扫描位置及等离子体发射枪产生的发射电流数据并导出，基于导出数据绘制扫描位置与发射电流实时变化曲线；提供参照曲线，并将实时变化曲线与参照曲线进行对比以确认机台是否正常工作。本发明通过读取并导出离子注入机台工作日志中的离子束带扫描位置与发射电流的数据，绘制成离子束带扫描位置与发射电流的实时变化曲线并与参照曲线对比，实现了离子注入工作状态的在线实时判断。

主权项：1.一种离子注入工艺监控方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一待离子注入晶圆，于所述晶圆的上表面形成保护层；于所述保护层的上表面形成光阻层，将所述晶圆固定于离子注入机台的靶盘上，基于所述光阻层对所述晶圆进行离子注入；实时读出所述离子注入机台的工作日志中离子束带的扫描位置及对应扫描位置的等离子体发射枪产生的发射电流数据并导出，基于导出数据绘制所述离子束带扫描位置与所述发射电流的实时变化曲线；提供参照曲线，所述参照曲线是基于离子未注入进所述晶圆中时的所述离子束带扫描位置与发射电流数据绘制，将所述实时变化曲线与所述参照曲线进行对比，并根据对比结果判断所述离子注入机台的离子注入的实时工作状态，以确认机台是否正常工作。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 广州粤芯半导体技术有限公司 一种离子注入工艺监控方法

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