申请/专利权人：玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司

申请日：2018-02-28

公开（公告）日：2022-09-20

公开（公告）号：CN110730999B

主分类号：H01J37/32

分类号：H01J37/32

优先权：["20170609 US 62/517,365","20171227 US 62/610,582","20180209 US 15/892,723"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.20#授权;2020.02.25#实质审查的生效;2020.01.24#公开

摘要：提供了一种用于处理工件的等离子体处理设备。在一个示例性实施例中，一种用于处理工件的等离子体处理设备包括：处理室，通过分离格栅与处理室隔开的等离子体室，以及被配置为在等离子体室中产生等离子体的感应耦合等离子体源。该设备包括设置在处理室内的基座，其被配置为支撑工件。该设备具有第一气体注入区，配置为在第一平坦表面处将处理气体注入等离子体室，和第二气体注入区，配置为在第二平坦表面处将处理气体注入等离子体室。分离格栅具有多个孔，该多个孔被配置为允许在等离子体中产生的中性粒子通过而到达处理室。

主权项：1.一种用于处理工件的等离子体处理设备，所述等离子体处理设备包括：处理室；等离子体室，其通过分离格栅与所述等离子体室隔开；感应耦合等离子体源，其被配置为在所述等离子体室中产生等离子体；基座，其设置在所述处理室内，所述基座被配置为支撑工件；第一气体注入区，其被配置为在第一平坦表面处将处理气体注入所述等离子体室；以及第二气体注入区，其被配置为在第二平坦表面处将处理气体注入所述等离子体室；其中所述分离格栅具有多个孔，所述多个孔被配置为允许在所述等离子体中产生的中性粒子通过而到达所述处理室，其中所述第一气体注入区提供在邻近所述等离子体室的径向边缘部分且在所述等离子体室的内部的第一平坦表面处，并且所述第二气体注入区提供在所述等离子体室的径向中心部分处且在所述等离子体室的内部的第二平坦表面处，以及其中所述第一平坦表面与所述等离子体室的顶板相关联，所述第二平坦表面与设置在所述等离子体室内的气体注入插入件的中心部分相关联，所述气体注入插入件具有所述气体注入插入件的所述中心部分和所述气体注入插入件的周边部分，所述气体注入插入件的所述中心部分延伸超过所述气体注入插入件的所述周边部分一定垂直距离，并且所述气体注入插入件具有穿过所述气体注入插件的所述中心部分的气体通道，所述气体通道联接至所述第二气体注入区。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 玛特森技术公司;北京屹唐半导体科技股份有限公司 具有多气体注入区的等离子体剥离工具

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