申请/专利权人：日月光半导体制造股份有限公司

申请日：2022-05-19

公开（公告）日：2022-09-27

公开（公告）号：CN217507266U

主分类号：H01L21/60

分类号：H01L21/60;H01L23/482

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.09.27#授权

摘要：本申请涉及接合结构。该接合结构包括第一接合单元，该第一接合单元包括：第一金属垫；第一绝缘层，覆盖所述第一金属垫的顶面外侧，并界定出位于所述第一金属垫顶侧的第一开孔；以及第一金属层，覆盖所述第一金属垫的顶面并位于所述第一开孔中，并且与所述第一金属垫之间形成有非化合物界面。该接合结构有利于提高金属层边缘的清晰度，进而提高金属层对接时的对位精度。

主权项：1.一种接合结构，其特征在于，包括第一接合单元，所述第一接合单元包括：第一金属垫；第一绝缘层，覆盖所述第一金属垫的顶面外侧，并界定出位于所述第一金属垫顶侧的第一开孔；以及第一金属层，覆盖所述第一金属垫的顶面并位于所述第一开孔中，并且与所述第一金属垫之间形成有非化合物界面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 日月光半导体制造股份有限公司 接合结构

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