申请/专利权人：华中科技大学;华中科技大学无锡研究院

申请日：2022-03-25

公开（公告）日：2024-04-23

公开（公告）号：CN115198252B

主分类号：C23C16/455

分类号：C23C16/455;C23C16/04

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.23#授权;2022.11.04#实质审查的生效;2022.10.18#公开

摘要：本发明涉及一种原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法。本发明提供的原子层沉积设备包括：反应室，其具有反应腔，所述反应腔中设置有第一基片承载台和电极板，所述第一基片承载台用于承载基片，所述电极板位于所述第一基片承载台的上方；电源系统，其第一电极与所述第一基片承载台电连接，第二电极与所述电极板电连接，所述电源系统用于在所述第一基片承载台和所述电极板之间形成电场，以诱导用于在所述基片上沉积出的薄膜的生长取向。

主权项：1.一种原子层沉积设备，其中，包括：反应室1，其具有反应腔10，所述反应腔10中设置有第一基片承载台11和电极板12，所述第一基片承载台11用于承载基片100，所述电极板12位于所述第一基片承载台11的上方；电源系统2，其第一电极与所述第一基片承载台11电连接，第二电极与所述电极板12电连接，所述电源系统2用于在所述第一基片承载台11和所述电极板12之间形成电场，以诱导在所述基片100上沉积出的薄膜的生长取向；所述第一基片承载台11的至少部分区域由非导电体和导电体在平面方向上按照预设图案依次接合而成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华中科技大学;华中科技大学无锡研究院 原子层沉积设备及原子层沉积薄膜的制备方法

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