申请/专利权人：南京理工大学

申请日：2020-10-27

公开（公告）日：2022-10-21

公开（公告）号：CN112507653B

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398;H01L29/30

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.10.21#授权;2021.04.02#实质审查的生效;2021.03.16#公开

摘要：本发明公开了一种电子输运性能更优的IV‑V族二维半导体模型构建方法，方法包括以下步骤：选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性；根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型。本发明对理想的二维半导体模型进行缺陷设计，使缺陷周围重建期间形成的新建长度来评估结构稳定性，提高了最优方案的精确度。

主权项：1.一种电子输运性能更优的IV-V族二维半导体模型构建方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：步骤1，选取IV族元素和V族元素，构建二维半导体理想模型；步骤2、计算理想模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性transmission；步骤3，基于所述二维半导体理想模型构建多种二维半导体缺陷模型；所述二维半导体缺陷模型包括：1PantiGe缺陷模型：该模型通过交换中心区域下半部分P原子和Ge原子获得；2PantiT1缺陷模型：该模型通过将中心区域下半部分Ge原子替换为P原子获得；3GeP-VpT1缺陷模型：该模型通过去除中心区域中心位置处的P原子获得；步骤4，计算各缺陷模型的电子输运性质，包括能带结构、伏安特性IV曲线以及传输特性transmission；步骤5，根据二维半导体理想模型以及各缺陷模型的电子输运性质，选取最优的二维半导体缺陷模型；具体过程包括：步骤5-1，获取计算电子输运性质过程中各缺陷模型的晶格常数的增加幅度，对该幅度进行降序排列，并对排序后的模型分别赋予权重p1、p2、p3，p1＞p2＞p3；步骤5-2，获取计算电子输运性质过程中各缺陷模型的电流增幅与增速，对增幅与增速的综合结果进行降序排列，并对排序后的模型分别赋予权重p1、p2、p3；步骤5-3，从能带结构结果图中获取各缺陷模型的禁带宽度，对该宽度进行升序排列，并对排序后的模型分别赋予权重p1、p2、p3；步骤5-4，基于上述步骤5-1至5-3的结果，计算每个模型的综合权重值，综合权重值最大的二维半导体缺陷模型即为最优的二维半导体缺陷模型。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南京理工大学 电子输运性能更优的IV-V族二维半导体模型构建方法

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