申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社

申请日：2022-01-24

公开（公告）日：2022-11-29

公开（公告）号：CN115410603A

主分类号：G11B5/10

分类号：G11B5/10;G11B5/11;H01L29/82

优先权：["20210528 JP 2021-089833"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.16#实质审查的生效;2022.11.29#公开

摘要：提供能够实现记录密度的提高的磁头及磁记录装置。根据实施方式，磁头包括第1、第2磁极和设置于第1、第2磁极之间的层叠体。层叠体包括第1磁性层、设置于第1磁性层与第2磁极之间的第2磁性层、设置于第1磁性层与第2磁性层之间的第1非磁性层、设置于第2磁性层与第2磁极之间的第2非磁性层及设置于第1磁极与第1磁性层之间的第3非磁性层。第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素。第2磁性层包含Fe100‑xCox100‑yEy10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％。第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个。第1磁性层不包含第2元素，或者，第1磁性层中的第2元素的浓度比第2磁性层中的第2元素的浓度低。

主权项：1.一种磁头,具备：第1磁极；第2磁极；及层叠体，设置于所述第1磁极与所述第2磁极之间，所述层叠体包括：第1磁性层；第2磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁极之间；第1非磁性层，设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间；第2非磁性层，设置于所述第2磁性层与所述第2磁极之间；及第3非磁性层，设置于所述第1磁极与所述第1磁性层之间，所述第1磁性层包含包括Fe、Co及Ni的至少1个的第1元素，所述第2磁性层包含Fe100-xCox100-yEy，其中，10atm％≤x≤50atm％，10atm％≤y≤90atm％，第2元素E包括选自由Cr、V、Mn、Ti及Sc构成的群的至少1个，所述第1磁性层不包含所述第2元素，或者，所述第1磁性层中的所述第2元素的浓度比所述第2磁性层中的所述第2元素的浓度低。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 磁头及磁记录装置

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