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【发明公布】功函数测试方法、结构及其制造方法_长鑫存储技术有限公司_202210969038.4 

申请/专利权人:长鑫存储技术有限公司

申请日:2022-08-12

公开(公告)日:2022-12-02

公开(公告)号:CN115425009A

主分类号:H01L23/544

分类号:H01L23/544;G01R31/26

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2022.12.02#公开

摘要:本申请提供了一种功函数测试方法、结构及其制造方法,涉及半导体技术领域。该结构包括:基底;测试模块;其中,测试模块包括:一组多晶硅掺杂单元,一组多晶硅掺杂单元形成于基底一侧,一组多晶硅掺杂单元包括N型多晶硅掺杂单元以及P型多晶硅掺杂单元;第一待测材料层,第一待测材料层位于N型多晶硅掺杂单元上;第二待测材料层,第二待测材料层位于P型多晶硅掺杂单元上,其中,第二待测材料层和第一待测材料层由同一待测材料形成;第一金属层,第一金属层位于第一待测材料层背离N型多晶硅掺杂单元一侧;第二金属层,第二金属层位于第二待测材料层背离P型多晶硅掺杂单元一侧。根据本申请实施例,能够准确测量待测材料的材料功函数。

主权项:1.一种功函数测试结构,其特征在于,包括:基底;测试模块,所述测试模块位于所述基底一侧;其中,所述测试模块包括:一组多晶硅掺杂单元,所述一组多晶硅掺杂单元形成于所述基底一侧,所述一组多晶硅掺杂单元包括N型多晶硅掺杂单元以及P型多晶硅掺杂单元;第一待测材料层,所述第一待测材料层位于所述N型多晶硅掺杂单元上;第二待测材料层,所述第二待测材料层位于所述P型多晶硅掺杂单元上,其中,所述第二待测材料层和所述第一待测材料层由同一待测材料形成;第一金属层,所述第一金属层位于所述第一待测材料层背离所述N型多晶硅掺杂单元一侧;第二金属层,所述第二金属层位于所述第二待测材料层背离所述P型多晶硅掺杂单元一侧,其中,所述第二金属层和所述第一金属层由同一金属形成。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 长鑫存储技术有限公司 功函数测试方法、结构及其制造方法

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