申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司

申请日：2022-08-12

公开（公告）日：2022-12-02

公开（公告）号：CN115425009A

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;G01R31/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开

摘要：本申请提供了一种功函数测试方法、结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。该结构包括：基底；测试模块；其中，测试模块包括：一组多晶硅掺杂单元，一组多晶硅掺杂单元形成于基底一侧，一组多晶硅掺杂单元包括N型多晶硅掺杂单元以及P型多晶硅掺杂单元；第一待测材料层，第一待测材料层位于N型多晶硅掺杂单元上；第二待测材料层，第二待测材料层位于P型多晶硅掺杂单元上，其中，第二待测材料层和第一待测材料层由同一待测材料形成；第一金属层，第一金属层位于第一待测材料层背离N型多晶硅掺杂单元一侧；第二金属层，第二金属层位于第二待测材料层背离P型多晶硅掺杂单元一侧。根据本申请实施例，能够准确测量待测材料的材料功函数。

主权项：1.一种功函数测试结构，其特征在于，包括：基底；测试模块，所述测试模块位于所述基底一侧；其中，所述测试模块包括：一组多晶硅掺杂单元，所述一组多晶硅掺杂单元形成于所述基底一侧，所述一组多晶硅掺杂单元包括N型多晶硅掺杂单元以及P型多晶硅掺杂单元；第一待测材料层，所述第一待测材料层位于所述N型多晶硅掺杂单元上；第二待测材料层，所述第二待测材料层位于所述P型多晶硅掺杂单元上，其中，所述第二待测材料层和所述第一待测材料层由同一待测材料形成；第一金属层，所述第一金属层位于所述第一待测材料层背离所述N型多晶硅掺杂单元一侧；第二金属层，所述第二金属层位于所述第二待测材料层背离所述P型多晶硅掺杂单元一侧，其中，所述第二金属层和所述第一金属层由同一金属形成。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长鑫存储技术有限公司 功函数测试方法、结构及其制造方法

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