申请/专利权人:大连理工大学
申请日:2022-08-16
公开(公告)日:2022-12-02
公开(公告)号:CN115414805A
主分类号:B01D71/78
分类号:B01D71/78;B01D69/10;B01D67/00
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2023.08.11#授权;2022.12.20#实质审查的生效;2022.12.02#公开
摘要:本发明涉及一种高通量聚芳醚酮基炭膜的制备方法,属于膜分离领域和新材料领域。一种高通量聚芳醚酮基炭膜的制备方法,在聚芳醚酮聚合物结构中引入大体积侧基团,得到官能团化的聚芳醚酮;利用官能团化的聚芳醚酮制备聚芳醚酮基多孔聚合物膜;将上述聚芳醚酮基多孔聚合物膜在孔填充剂溶液中进行孔隙结构预填充;在引发剂作用下,在多孔聚合物膜表面接枝聚合致密化单体;将表面控制致密化的多孔聚合物膜进行干燥和炭化,得到高通量聚芳醚酮基炭膜。本发明所述炭膜因其完好的保持了聚合物膜阶段的多孔结构而表现出高气体渗透通量,在热解炭化过程中聚合物膜骨架转化为无定型碳结构,膜表面的控制致密化则保证了所制备的多孔炭膜保持较高的选择性。
主权项:1.一种高通量聚芳醚酮基炭膜的制备方法,其特征在于:在聚芳醚酮聚合物结构中引入大体积侧基团,得到官能团化的聚芳醚酮;利用所得官能团化的聚芳醚酮制备聚芳醚酮基多孔聚合物膜;将上述所得聚芳醚酮基多孔聚合物膜在孔填充剂溶液中进行孔隙结构预填充;在引发剂作用下,在多孔聚合物膜表面接枝聚合致密化单体;将表面控制致密化的多孔聚合物膜进行干燥和炭化,得到高通量聚芳醚酮基炭膜,其中,所述大体积侧基团为羟基、羧基、磺酸基、氯甲基、烯丙基、吡啶基、季铵盐基中的一种。
全文数据:
权利要求:
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