申请/专利权人：无锡紫光微电子有限公司

申请日：2022-07-19

公开（公告）日：2022-12-27

公开（公告）号：CN218160386U

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2022.12.27#授权

摘要：本实用新型涉及一种方胞源区带有dummy结构的多层外延超结MOS管，包括N‑型衬底、N‑型外延层、P‑型柱、P+型体区、N+型源区、P+型阱区、栅极氧化层、栅极导电多晶硅、隔离层、正面金属层与互联柱；在N‑型外延层内设有在水平左右方向上为间隔设置、在水平内外方向上为连续设置的若干条P‑型柱；在每条P‑型柱的顶部均设有在水平内外方向上为间隔设置的P+型体区，相邻两条P‑型柱顶部的P+型体区呈错位设置，在水平左右方向上，互联柱与P+型阱区配合将N+型源区分隔成两个单独的部分。本实用新型可在同等面积下实现更低的导通电阻与开关电荷。

主权项：1.一种方胞源区带有dummy结构的多层外延超结MOS管，在N-型衬底（1）的正面设有N-型外延层（2），在N-型外延层（2）内设有在水平左右方向上为间隔设置、在水平内外方向上为连续设置的若干条P-型柱（3）；其特征是：在每条P-型柱（3）的顶部均设有在水平内外方向上为间隔设置的P+型体区（4），相邻两条P-型柱（3）顶部的P+型体区（4）呈错位设置，P+型体区（4）与P-型柱（3）接触，在P+型体区（4）内设有N+型源区（5），在N+型源区（5）内设有P+型阱区（6），在N-型外延层（2）的正面设有栅极氧化层（7），在栅极氧化层（7）的正面设有栅极导电多晶硅（8），在栅极导电多晶硅（8）的正面设有隔离层（9），在隔离层（9）的正面设有正面金属层（10），正面金属层（10）通过互联柱（11）与P+型阱区（6）接触；在水平左右方向上，互联柱（11）与P+型阱区（6）配合将N+型源区（5）分隔成两个单独的部分。

全文数据：

权利要求：

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