申请/专利权人:无锡紫光微电子有限公司
申请日:2022-07-19
公开(公告)日:2022-11-01
公开(公告)号:CN115274853A
主分类号:H01L29/78
分类号:H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2022.11.18#实质审查的生效;2022.11.01#公开
摘要:本发明涉及一种方胞源区带有dummy结构的多层外延超结MOS管及其制备方法,包括N‑型衬底、N‑型外延层、P‑型柱、P+型体区、N+型源区、P+型阱区、栅极氧化层、栅极导电多晶硅、隔离层、正面金属层与互联柱;在N‑型外延层内设有在X方向上为间隔设置、在Y方向上为连续设置的若干条P‑型柱;在每条P‑型柱的顶部均设有在Y方向上为间隔设置的P+型体区,相邻两条P‑型柱顶部的P+型体区呈错位设置,在X方向上,互联柱与P+型阱区配合将N+型源区分隔成两个单独的部分。本发明可在同等面积下实现更低的导通电阻与开关电荷。
主权项:1.一种方胞源区带有dummy结构的多层外延超结MOS管,在N-型衬底(1)的正面设有N-型外延层(2),在N-型外延层(2)内设有在X方向上为间隔设置、在Y方向上为连续设置的若干条P-型柱(3);其特征是:在每条P-型柱(3)的顶部均设有在Y方向上为间隔设置的P+型体区(4),相邻两条P-型柱(3)顶部的P+型体区(4)呈错位设置,P+型体区(4)与P-型柱(3)接触,在P+型体区(4)内设有N+型源区(5),在N+型源区(5)内设有P+型阱区(6),在N-型外延层(2)的正面设有栅极氧化层(7),在栅极氧化层(7)的正面设有栅极导电多晶硅(8),在栅极导电多晶硅(8)的正面设有隔离层(9),在隔离层(9)的正面设有正面金属层(10),正面金属层(10)通过互联柱(11)与P+型阱区(6)接触;在X方向上,互联柱(11)与P+型阱区(6)配合将N+型源区(5)分隔成两个单独的部分。
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权利要求:
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